一种SOI器件的脉冲激光等效LET值计算方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610034203.1
IPC分类号：G01R31/00;G01R31/26
申请日期：
2016-01-19
申请人：
工业和信息化部电子第五研究所

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著录项信息

专利名称	一种SOI器件的脉冲激光等效LET值计算方法
申请号	CN201610034203.1	申请日期	2016-01-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105548770A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46）	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;0;0;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	工业和信息化部电子第五研究所	申请人地址	广东省广州市天河区东莞庄路110号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	工业和信息化部电子第五研究所	当前权利人	工业和信息化部电子第五研究所
发明人	余永涛
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	潘桂生;向群

摘要

本发明涉及一种脉冲激光等效LET值计算方法，包括以下步骤：在去除SOI器件硅衬底之后，对SOI器件进行辐照扫描，得到SOI器件发生单粒子效应的入射激光能量；根据空气、埋氧层和硅的折射率、激光从空气到埋氧层的反射和透射系数、从埋氧层到空气的反射透射系数、从埋氧层到硅的反射和透射系数以及从硅到埋氧层的反射和透射系数，计算激光穿过SOI器件的埋氧层的能量透射率；根据到达灵敏区时的激光光斑半径和灵敏区的横向尺寸计算光斑影响参数；根据所述入射激光能量、能量透射率和光斑影响参数确定脉冲激光等效LET值。所述方法能够快速、低成本、更为准确地获得器件单粒子效应敏感度的关键指标LET值。

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