在金属基底上制备具有相变特性纳米二氧化钒薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110080653.1
IPC分类号：C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58
申请日期：
2011-03-31
申请人：
天津大学

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专利名称	在金属基底上制备具有相变特性纳米二氧化钒薄膜的方法
申请号	CN201110080653.1	申请日期	2011-03-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-14	公开/公告号	CN102181827A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/08 氧化物（C23C 14/10优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	梁继然;胡明;后顺保
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	曹玉平

摘要

本发明公开了一种在金属基底表面制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的方法，步骤为：(1)对硅基片表面清洗，(2)采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜，(3)采用磁控溅射方法，在二氧化硅/硅基片上沉积金属薄膜，(4)采用射频磁控溅射方法在金属表面制备氧化钒薄膜，(5)将制得的氧化钒/金属/二氧化硅/硅多层薄膜结构置于管式退火炉中于400-500℃热处理，得到具有相变特性的二氧化钒薄膜。本发明的方法可与MEMS工艺兼容，可控性能高，薄膜性能稳定，金属态与半导体态区别明显，相变过程连续可逆，可用于对其他微结构进行调控。本发明极大地拓展了二氧化钒薄膜在电子学、光学方面的应用范围。

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