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低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810025102.7
  • IPC分类号:C23C22/02;C25B11/06;C25B1/04;H01G4/008
  • 申请日期:
    2018-01-11
  • 申请人:
    昆明理工大学
著录项信息
专利名称低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法
申请号CN201810025102.7申请日期2018-01-11
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-07-10公开/公告号CN108265283A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C22/02IPC分类号C;2;3;C;2;2;/;0;2;;;C;2;5;B;1;1;/;0;6;;;C;2;5;B;1;/;0;4;;;H;0;1;G;4;/;0;0;8查看分类表>
申请人昆明理工大学申请人地址
云南省昆明市五华区学府路253号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明理工大学当前权利人昆明理工大学
发明人张启波;孙长彬
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开低共熔型离子液体中镍基体原位硫化制备Ni3S2的方法,属于能源材料制备技术领域,本发明将硫盐前驱体加入到低共熔型离子液体中,加热搅拌形成离子液体‑硫盐复合溶液,再将清洗过的镍基体直接浸泡在该低共熔型离子液体中,通过控制温度与时间,使镍基体进行原位硫化,最后将镍基体反复冲洗,在真空干燥箱中进行室温干燥后即可得到Ni3S2;本发明所制备的Ni3S2材料具有多功能,性能良好,稳定性好,价格低廉,工艺简单等优点。

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