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光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200610170955.7
IPC分类号：C30B7/00;C30B35/00
申请日期：
2006-12-27
申请人：
钟毅;钟鸣

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置
申请号	CN200610170955.7	申请日期	2006-12-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-08	公开/公告号	CN101012572
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B7/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B7/00 常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B 9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;7;/;0;0;;;C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	钟毅;钟鸣	申请人地址	山东省济南市槐荫区经四路453号楼1单元502号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	钟毅,钟鸣	当前权利人	钟毅,钟鸣
发明人	钟毅;钟鸣
代理机构	济南圣达专利商标事务所有限公司	代理人	张勇

摘要

本发明公开了一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。它解决了目前人工晶体的生成装置温度控制精度低，含氘量易受影响等问题，具有结构简单，使用方便，能有效保证晶体生成所需的氘量，并能提高温控精度等优点。其结构为：它有外壳，其内设有晶体生成容器，所述晶体生成容器为透明容器，在其外壁上布满反射层，在透明容器底部设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。

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