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半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN97114574.1
IPC分类号：--
申请日期：
1997-07-14
申请人：
三菱电机株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN97114574.1	申请日期	1997-07-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-06-10	公开/公告号	CN1184334
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	木村雅俊;东谷惠市;大野多喜夫
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力，从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2，对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠，将其作为层间绝缘膜。其后，形成接触孔4。

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