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浅沟槽隔离结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010026996.9
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L29/06
  • 申请日期:
    2020-01-10
  • 申请人:
    芯恩(青岛)集成电路有限公司
著录项信息
专利名称浅沟槽隔离结构及其制备方法
申请号CN202010026996.9申请日期2020-01-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-13公开/公告号CN113113347A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人芯恩(青岛)集成电路有限公司申请人地址
山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人芯恩(青岛)集成电路有限公司当前权利人芯恩(青岛)集成电路有限公司
发明人刘佑铭;王宁;卢合强
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人余明伟
摘要
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法,浅沟槽隔离结构包括衬底、保护氧化层及填充氧化层;通过形成具有掺杂离子的填充氧化层,以降低填充氧化层在酸性溶液中的刻蚀速率,提高填充氧化层的刻蚀选择比;进一步的,可形成具有不同的掺杂离子及不同的掺杂浓度的填充氧化层,以降低工艺复杂度,提高操作便捷性,且易于调控。本发明可有效减轻浅沟槽隔离结构产生边沟的现象,制备高质量的产品。

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