制备纳米氮化硅粉体的系统

发明专利无效专利

申请号：
CN02138263.8
IPC分类号：C01B21/068;B01J19/08
申请日期：
2002-09-09
申请人：
张芬红

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制备纳米氮化硅粉体的系统
申请号	CN02138263.8	申请日期	2002-09-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-03-17	公开/公告号	CN1482059
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B21/068 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B21/00 氮；其化合物 C01B21/06 氮与金属、硅或硼的二元化合物 C01B21/068 与硅〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;2;1;/;0;6;8;;;B;0;1;J;1;9;/;0;8查看分类表>
申请人	张芬红	申请人地址	安徽省合肥新站区工业园内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥开尔纳米能源科技股份有限公司	当前权利人	合肥开尔纳米能源科技股份有限公司
发明人	张芬红
代理机构	合肥诚兴知识产权代理有限公司	代理人	汤茂盛

摘要

本发明公开一种采用等离子气相合成方法制备氮化硅纳米材料的生产系统，它包括等离子发生器和气相合成装置，气相合成装置产生的固态Si3N4和HCL进入分离器中，减压分散团聚颗粒，由捕集装置捕集收集成品Si3N4，等离子发生器采用旋转气流、阳极的机械结构及冷却水压缩，形成高速、稳定火焰的离子弧，由载气分配装置向反应室内沿反应室的腔壁自上而下提供环形载气，使产品颗粒未及时长大时被及时输送，由冷却和捕集装置完成Si3N4收集，从而得到纳米氮化硅陶瓷粉体。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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