一种平面型VDMOS器件及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410328013.1
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
申请日期：
2014-07-10
申请人：
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种平面型VDMOS器件及其制作方法
申请号	CN201410328013.1	申请日期	2014-07-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-13	公开/公告号	CN105244279A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司	申请人地址	北京市海淀区成府路298号方正大厦5层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司	当前权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人	马万里
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制作方法，提供第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上设置第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；在所述多晶硅层上生成第一隔离层；制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；生成介质层，制作接触孔和金属层，之后在所述第一隔离层上生成第二隔离层；其中，所述第一导电类型和第二导电类型的导电类型相反。通过在栅极多晶硅层和源级金属层之间生长更多的质地致密的隔离层，增大了栅源极板之间的间距，从而降低平面型VDMOS功率器件的栅源电容。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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