全固体二次电池、制造全固体二次电池的方法、和受保护的电极

发明专利有效专利

申请号：
CN202011138229.3
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/38;H01M4/40;H01M4/42;H01M4/44;H01M4/46;H01M4/134;H01M10/0525;H01M10/0562;H01M10/058
申请日期：
2020-10-22
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	全固体二次电池、制造全固体二次电池的方法、和受保护的电极
申请号	CN202011138229.3	申请日期	2020-10-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-23	公开/公告号	CN112701257A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;4;0;;;H;0;1;M;4;/;4;2;;;H;0;1;M;4;/;4;4;;;H;0;1;M;4;/;4;6;;;H;0;1;M;4;/;1;3;4;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;8查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金世元;金柱植;权赫祚;金呤希;金泫锡;郑成均;郑昌勋
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	金拟粲

摘要

本发明涉及全固体二次电池、制造全固体二次电池的方法、和受保护的电极。全固体二次电池包括：包括正极活性材料的正极层；负极层；以及设置在所述正极层和所述负极层之间的包括固体电解质的固体电解质层，其中所述负极层包括负极集流体、与所述固体电解质层接触的第一负极活性材料层、以及设置在所述负极集流体和所述第一负极活性材料层之间的第二负极活性材料层，其中所述第一负极活性材料层包括第一金属并且具有比所述固体电解质的还原电位大的锂离子还原电位，和其中所述第二负极活性材料层包括第二金属，并且锂(Li)在所述第二金属中的固溶度大于锂在所述第一金属中的固溶度。

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