具有印痕的集成电路及其制造方法、形成设备和验证系统

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专利名称	具有印痕的集成电路及其制造方法、形成设备和验证系统
申请号	CN201510773835.5	申请日期	2015-11-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-25	公开/公告号	CN105608248A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	蔡明庆;関伟伦;C.马尔贝拉;覃永良
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	申屠伟进;张涛

摘要

本发明涉及具有印痕的集成电路及其制造方法、形成设备和验证系统。根据各种实施例，制造集成电路的方法可以包含提供具有至少一个凹陷或至少一个凸起的膜结构，以及执行使用膜结构的膜辅助模制工艺以模制电子电路，由此形成包含依照膜结构的表面图案的模制结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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