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碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110261633.8
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-03-10
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法
申请号CN202110261633.8申请日期2021-03-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-27公开/公告号CN113178414A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人罗军;许静;袁述;张丹
代理机构北京辰权知识产权代理有限公司代理人史晶晶
摘要
本发明涉及一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法。一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法,包括:提供表面具有碳化硅(SiC)层的半导体结构;在所述碳化硅层注入重离子,使表面形成非晶层;然后在所述非晶层的表面沉积金属层;进行退火处理,退火温度为400~1000℃。本发明能促进金属硅化反应的进行,也有利于掺杂杂质在更低温度下激活,从而大幅降低欧姆接触结构的电阻率。

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