一种沟槽MOSFET功率整流器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320071888.9
IPC分类号：H01L27/07;H01L29/06
申请日期：
2013-02-07
申请人：
上海新进半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	一种沟槽MOSFET功率整流器件
申请号	CN201320071888.9	申请日期	2013-02-07
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/06 在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕 H01L27/07 有源区共用的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	上海新进半导体制造有限公司	申请人地址	上海市闵行区紫星路1600号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新进芯微电子有限公司	当前权利人	上海新进芯微电子有限公司
发明人	龙涛;王乙明;金钟元
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

本实用新型提供了一种沟槽MOSFET功率整流器件，该沟槽MOSFET功率整流器件的外延层包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第一沟槽位于该第一区域，在该外延层的第二区域具有至少一个包围第一沟槽的第二导电类型的终端保护环，所述终端保护环从所述外延层的表面延伸至所述外延层内部，且所述终端保护环的底部的位置低于位于所述外延层第一区域的第一沟槽底部的位置。由于外延层的第二区域围绕第一区域，所以，位于围绕第一沟槽的终端保护环能够将第一沟槽的底部包围，避免第一沟槽承受高电压强度的风险。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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