首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

LED电极制作方法、LED电极和LED芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201710326901.3
IPC分类号：H01L21/285;H01L33/00;H01L33/40
申请日期：
2017-05-10
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	LED电极制作方法、LED电极和LED芯片
申请号	CN201710326901.3	申请日期	2017-05-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-01	公开/公告号	CN107123594A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/285 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕 H01L21/283 用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕 H01L21/285 气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;0查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	胡卫
代理机构	北京晟睿智杰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	于淼

摘要

本发明公开了一种LED电极制作方法、LED电极和LED芯片。本发明公开的LED电极制作方法，通过电子束真空蒸发镀膜的方式蒸镀电极，其中，蒸镀电极膜层的先后顺序为Rh、Al、Ti、Pt、Ti、Pt和Au。LED电极蒸镀时，首先蒸镀Rh层，然后蒸镀Al层，形成RhAl反射电极，工艺简单，提高了电极稳定性，同时提高了反射电极反射率，能够制作高发光效率的LED芯片。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供