半导体器件制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210134103.8
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/28
申请日期：
2012-04-29
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件制造方法
申请号	CN201210134103.8	申请日期	2012-04-29
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-30	公开/公告号	CN103377944A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	锐立平芯微电子（广州）有限责任公司	当前权利人	锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
发明人	罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏
代理机构	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区，并在硅化物与衬底之间的界面处形成第一掺杂离子分凝区；执行第二离子注入，在金属硅化物的源漏区中注入第二掺杂离子；执行第二退火，在金属硅化物的源漏区与衬底之间的界面处形成第二掺杂离子掺杂离子分凝区。通过两次掺杂注入并推进退火，在金属硅化物的源漏与硅沟道区之间的界面处形成掺杂离子的分凝区，有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻同时还提高了器件驱动能力，进一步提高器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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