首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件和半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201710187607.9
IPC分类号：H01L25/16;G01K7/01
申请日期：
2017-03-27
申请人：
瑞萨电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件和半导体装置
申请号	CN201710187607.9	申请日期	2017-03-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-17	公开/公告号	CN107359155A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/16 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;G;0;1;K;7;/;0;1查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	沼部英雄;立野孝治;小岛勇介;横井芳彦;石田慎哉;松浦仁
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	李兰;孙志湧

摘要

本发明提供一种半导体器件和半导体装置，所述半导体器件包括功率器件和温度检测二极管。所述半导体器件具有被配置成使功率器件的电力线与温度检测二极管之间绝缘的器件结构。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供