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形成具有高反型层迁移性的碳化硅MOSFETS的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200680034131.5
IPC分类号：H01L21/28
申请日期：
2006-09-12
申请人：
克里公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成具有高反型层迁移性的碳化硅MOSFETS的方法
申请号	CN200680034131.5	申请日期	2006-09-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-08	公开/公告号	CN101283439
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	克里公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	克里公司	当前权利人	克里公司
发明人	M·达斯;B·哈尔;S·克里什纳斯瓦米
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘锴;韦欣华

摘要

在碳化硅上形成氧化层的方法，该方法包括在碳化硅层上热生长氧化层，和在大于1175℃温度下，最优选1300℃，包含NO的环境中退火该氧化层。该氧化层可以在碳化硅管中在NO中被退火，该碳化硅管可以用碳化硅进行涂布。为了形成氧化层，初步氧化层可以在干燥O2中在碳化硅层上进行热生长，并且该初步氧化层可以在湿O2中被再氧化。

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