采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310056813.8
IPC分类号：H04R19/04;H04R31/00
申请日期：
2013-02-22
申请人：
上海微联传感科技有限公司

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专利名称	采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法
申请号	CN201310056813.8	申请日期	2013-02-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103139691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R19/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R19/00 静电传感器 H04R19/04 传声器（H04R 19/01优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;4;R;1;9;/;0;4;;;H;0;4;R;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海微联传感科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号F2栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华景科技无锡有限公司	当前权利人	华景科技无锡有限公司
发明人	缪建民
代理机构	上海浦东良风专利代理有限责任公司	代理人	陈志良

摘要

本发明为一种采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法，包括多孔背极板硅基及位于所述多孔背极板硅基上方的单晶硅振膜，其特征在于：所述的多孔背极板硅基和单晶硅振膜作为麦克风电容的两极板，经过硅硅键合工艺键合成一体。多孔背极板硅基上设有背极板金属电极、声孔和背腔，单晶硅振膜上设有金属电极和小凸柱，振膜金属电极和背极板电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；单晶硅振膜由氧化硅层支撑悬于多孔背极板硅基的上方，单晶硅振膜和多孔背极板硅基之间设有气隙，多孔背极板硅基、单晶硅振膜和气隙形成电容结构。本发明工艺简单，产品灵敏度高、一致性好且生产良率高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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