一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110720528.6
IPC分类号：C30B33/10;C30B29/06;F26B21/00;F26B25/02;H01L21/306
申请日期：
2021-06-28
申请人：
孙强

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专利名称	一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法
申请号	CN202110720528.6	申请日期	2021-06-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-12	公开/公告号	CN113493931A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/08 侵蚀〔5〕 C30B33/10 在溶液或熔体内〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;1;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;F;2;6;B;2;1;/;0;0;;;F;2;6;B;2;5;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6查看分类表>
申请人	孙强	申请人地址	辽宁省鞍山市海城市滨河东路9甲号楼2单元39号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	孙强	当前权利人	孙强
发明人	孙强
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，属于多晶硅加工领域，实现通过摆动气缸带动扩风管将风机释放的风进行摆动吹出，减少直吹对多晶硅片本体带来的影响，同时风力吹动使其在伸缩杆和缓冲机构的辅助下上下运动，并带动挤压锤来回挤压弹性气囊，使其通过L形管沿着多晶硅片本体表面吹风，使水珠快速掉落下来，而色变检测片遇水变色，帮助技术人员判断是否风干彻底，且在摆动过程中，部分风经过导气管鼓入到鼓气管内，吹动鼓入球向绝磁囊体内运动，带动其撑开，使Fe‑Ni合金粉末不能有效的隔绝两个弧形磁铁块之间的磁性相斥影响，带动伸缩囊体向上延伸，使多晶硅片本体左右偏转，使水和残留的废渣滚落下来。

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