具有防止等离子体损害的光子吸收层的半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN200410059537.1
IPC分类号：--
申请日期：
2004-03-12
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有防止等离子体损害的光子吸收层的半导体器件
申请号	CN200410059537.1	申请日期	2004-03-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-03	公开/公告号	CN1542985
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	宋升喆
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

一种MOSFET器件结构和制造该器件结构的方法，其中，为了避免在层间介电层的高密度等离子体沉积过程中对栅极氧化物的等离子诱导损害，在栅极结构和衬底上面形成一光子吸收层。该器件结构可以包括在光子吸收层下面的蚀刻停止层。该光子吸收层整体上都由硅锗形成，或者它可以是由硅层和硅锗层形成的多层。在多层结构中，硅锗层可以形成在硅层的顶部，或者反之亦然。硅锗层可以通过将锗离子注入到硅层中来形成，或者通过硅锗合金层的外延生长法来形成。在光子吸收层中，锗可以由带隙能量小于硅带隙能量的其它元素来取代。

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