生成具有降低的环境温度依赖性的换能信号的压力传感器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510857502.0
IPC分类号：G01L9/00;G01L9/06
申请日期：
2015-11-30
申请人：
意法半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	生成具有降低的环境温度依赖性的换能信号的压力传感器及其制造方法
申请号	CN201510857502.0	申请日期	2015-11-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-28	公开/公告号	CN106257254A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L9/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L9/00 用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的（测量两个或多个压力差值的入G01L 13/00；同时测量两个或多个压力值的入G01L 15/00）	IPC分类号	G;0;1;L;9;/;0;0;;;G;0;1;L;9;/;0;6查看分类表>
申请人	意法半导体股份有限公司	申请人地址	意大利阿格拉布里安扎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体股份有限公司	当前权利人	意法半导体股份有限公司
发明人	E·杜奇;S·康蒂;S·克斯坦蒂尼
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华

摘要

本发明涉及生成具有降低的环境温度依赖性的换能信号的压力传感器及其制造方法。被设计为检测压力传感器外部的环境的环境压力值(PA)的压力传感器(31)包括：第一基板(12)，具有掩埋腔(16)和悬挂在掩埋腔之上的膜(18)；第二基板(14)，具有凹部(14’)，凹部气密耦合到第一基板(12)，使得凹部限定密封腔(24)，密封腔的内部压力值提供压力基准值(PREF)；以及通道(32)，至少部分地形成在第一基板(12)中，并且被配置为将掩埋腔(16)布置为与压力传感器外部的环境连通。膜经受根据密封腔(24)中的压力基准值(PREF)和掩埋腔中的环境压力值(PA)之间的压力差的偏斜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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