氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610178038.7
IPC分类号：G06F17/50
申请日期：
2016-03-25
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法
申请号	CN201610178038.7	申请日期	2016-03-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-20	公开/公告号	CN105787210A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	马晓华;张恒爽;马佩军;郑佳欣;卢阳;赵博超;郝跃
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华;朱红星

摘要

本发明公开一种氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法，主要解决现有技术提取寄生电感会由于正向大栅压对器件造成损伤、提取寄生电容时需要人工调谐和优化参数不符合物理结构的问题。其技术方案是基于传统提取寄生电容的基础，在低频冷偏截止态等效电路中引入寄生电感，利用线性回归方法同时提取出寄生总电容和寄生电感，结合实际物理结构优化搜索出寄生电容，并结合未偏置时测试的散射参数和正常工作时的散射参数，分别提取出寄生电阻和本征参数。本发明在测试过程中对器件没有损伤，且不需要人工调谐，提取参数效率较高，适用频段宽。本发明得到的模型参数不仅能直接用于建立器件的小信号等效电路模型，也能用于小信号电路设计。

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