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像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811034319.0
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2018-09-06
  • 申请人:
    德淮半导体有限公司
著录项信息
专利名称像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置
申请号CN201811034319.0申请日期2018-09-06
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-01-18公开/公告号CN109244094A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人德淮半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德淮半导体有限公司当前权利人德淮半导体有限公司
发明人黄晓橹;张盛鑫;魏代龙;内藤达也
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人刘倜
摘要
本公开涉及像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置。一种像素单元,包括:感光元件;与感光元件电连接的晶体管,晶体管具有沟道形成区;与晶体管电连接的电荷存储元件,其中沟道形成区包括与电荷存储元件相邻的第一部分以及与感光元件相邻的第二部分;以及栅极结构,包括:在沟道形成区之上的栅极绝缘层,在栅极绝缘层之上的彼此分离的第一栅极和第二栅极,第一栅极与沟道形成区的第一部分对应,第二栅极与沟道形成区的第二部分对应,以及在第一栅极和第二栅极之间的栅极间绝缘层其中,在晶体管被关断时第一部分的电势高度低于第二部分的电势高度。

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