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双扩散金属氧化物半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010601804.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423
  • 申请日期:
    2010-12-22
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称双扩散金属氧化物半导体器件
申请号CN201010601804.9申请日期2010-12-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102569387A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人曹建;赵广艳;高东岳
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮;李辰
摘要
本发明实施例公开了一种双扩散金属氧化物半导体器件,包括:源区、栅区和漏区;所述源区和栅区表面上分别对应设置有源极金属层和栅极金属层;所述源极金属层的图形与所述栅极金属层的图形不同。本实施例所提供的技术方案中,所述双扩散金属氧化物半导体器件中,源极金属层的图形与栅极金属层的图形不同,因此,后续器件封装制程中的封装设备能够根据图形的不同,实现区分并识别源极金属层和栅极金属层,该方案无需增大源极金属层和栅极金属层之间的距离,能够降低DMOS器件面积,进而实现降低生产成本,优化DMOS器件性能。此外,生产该DMOS器件无需增加专用于区分源极金属层和栅极金属层的工艺步骤,能够简化生产流程,提高生产效率。

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