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多功能半导体晶片键合装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610082853.X
  • IPC分类号:H01L21/603;B23K20/00
  • 申请日期:
    2006-06-15
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称多功能半导体晶片键合装置
申请号CN200610082853.X申请日期2006-06-15
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2007-12-19公开/公告号CN101090082
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/603IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0;3;;;B;2;3;K;2;0;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人杨国华;何国荣;石岩;宋国峰;郑婉华;陈良惠
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种多功能半导体晶片键合装置,包括键合腔室,该键合腔室中间的下部安装有一下压头;抽真空装置与键合腔室连接,控制真空泵机组对键合腔室抽真空,并且实时监测键合腔室的真空度;加热装置位于键合腔室内,对键合腔室加热到设定的温度,并且通过反馈装置保持键合腔室的温度在一定范围内,并且能够实时监测键合腔室的温度;气体氛围改变装置与键合腔室连接,改变键合腔室的气体氛围分别为真空、氮气氛围、氢气氛围或者氮气氢气混合氛围;施力装置位于键合腔室的任一侧,为键合腔室内的半导体晶片施加压力,并且可以实时监控键合晶片上施加的压力。

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