离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201910270293.8
IPC分类号：G01D18/00H01L21/67
申请日期：
2019-04-04
申请人：
德淮半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法
申请号	CN201910270293.8	申请日期	2019-04-04
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-09	公开/公告号	CN109990820A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01D18/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01D 非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试 G01D18/00 测试或校准大组G01D 1/00至G01D 15/00中列入的设备或装置	IPC分类号	G01D18/00;H01L21/67查看分类表>
申请人	德淮半导体有限公司	申请人地址	江苏省淮安市淮阴区长江东路5*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德淮半导体有限公司	当前权利人	德淮半导体有限公司
发明人	黄家明
代理机构	北京市一法律师事务所	代理人	刘荣娟

摘要

本申请提供一种离子注入设备中传感器的校准机构，包括：传感器，所述传感器包括至少三个定位孔；校准架，所述校准架包括平行相对的第一校准面和第二校准面，用于承载所述传感器，所述第一校准面和第二校准面分别设置至少两个凹槽，通过所述凹槽与所述传感器的定位孔固定连接；以及辅助校准件，所述辅助校准件的一端被设置为用于与所述定位孔耦合连接，且所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距。本申请还提供一种利用所述校准机构校准传感器的方法，所述校准机构以及校准方法可以提高传感器位置的准确性，减少机台误报警。