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一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010224556.0
  • IPC分类号:C01G51/04
  • 申请日期:
    2010-07-09
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法
申请号CN201010224556.0申请日期2010-07-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-12-01公开/公告号CN101898801A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G51/04IPC分类号C;0;1;G;5;1;/;0;4查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人邵海波;樊玉欠;孔德帅;皮欧阳;万辉;王建明;张鉴清;曹楚南
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人周烽
摘要
本发明涉及一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法,该方法以金属钴为基体,在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中;然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中,使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应,数分钟至数十分钟后,经洗涤剂洗涤、干燥,即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片,直径0.2-1.5μm,厚度10-200nm。本发明所得氢氧化钴片纯度高,粒度可控,与金属基体结合牢固,可直接作为锂离子电池氧化钴负极的原料,不需添加任何粘结剂和导电剂,工艺条件简单易控,生产周期短,适合工业化大生产。

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