磁存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN01802437.8
IPC分类号：G11C11/16;G11C11/15;G11C11/14
申请日期：
2001-05-16
申请人：
皇家菲利浦电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	磁存储器
申请号	CN01802437.8	申请日期	2001-05-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-01-01	公开/公告号	CN1388972
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;6;;;G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;G;1;1;C;1;1;/;1;4查看分类表>
申请人	皇家菲利浦电子有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	NXP股份有限公司	当前权利人	NXP股份有限公司
发明人	K·－M·H·伦斯森;J·J·M·鲁格罗克
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	曾祥凌;郑建晖

摘要

本发明的目的在于屏蔽磁存储器防止外部磁场的干扰。为此，本发明的磁存储器包括磁存储元件阵列(2)，每个磁存储元件(3)包括至少一个第一层磁材料(4)，所述存储器设置有屏蔽层(14)用于对所述磁存储元件进行磁场屏蔽，其中所述屏蔽层(14)被分成相互隔开的区域(5)，所述区域(5)的厚度(10)超过所述磁存储元件(3)的厚度(11)。因为由屏蔽层(4)的区域(5)产生的外部磁场的大的衰减，所以存储器(1)不会被外部强磁场擦除。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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