制作具有垂直的MOS晶体管的集成电路的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99809558.3
IPC分类号：--
申请日期：
1999-09-22
申请人：
印芬龙科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制作具有垂直的MOS晶体管的集成电路的方法
申请号	CN99809558.3	申请日期	1999-09-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-09-12	公开/公告号	CN1312955
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	印芬龙科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	埃梅里希·贝尔塔戈诺利;弗朗茨·霍夫曼;贝尔恩德·格贝尔;沃尔夫冈·勒斯纳
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	王仲贤

摘要

本发明涉及一种制作具有至少一个垂直的MOS晶体管的集成电路的方法，所述方法包括：用第一导电类型和第二导电类型掺杂分别形成与基片表面邻接的层、第一、二源极/漏级、通道区和层序列，形成沟槽和通过对所述沟槽充填形成连接结构、形成栅极介质和在层序列第二面上的栅极和多个存储单元、形成沟槽，并在沟槽内形成带状的存储单元的连接结构、实现存储单元与第一分隔沟槽的交替并列设置、在第一分隔沟槽上至少形成部分栅极、通过对下层的结构化由下层形成下位线，从而使下位线与连接结构邻接并与后者平行，形成垂直于下位线的字线，所述字线与栅极连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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