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一种电缆型氯化银包裹铜纳米结构的合成法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510215425.9
  • IPC分类号:B22F9/24;B22F1/02;B01J27/10
  • 申请日期:
    2015-04-30
  • 申请人:
    同济大学
著录项信息
专利名称一种电缆型氯化银包裹铜纳米结构的合成法
申请号CN201510215425.9申请日期2015-04-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-08-19公开/公告号CN104841947A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F9/24IPC分类号B;2;2;F;9;/;2;4;;;B;2;2;F;1;/;0;2;;;B;0;1;J;2;7;/;1;0查看分类表>
申请人同济大学申请人地址
上海市杨浦区四平路1239号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人同济大学当前权利人同济大学
发明人温鸣;张延桥;黄再娣
代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人张磊
摘要
本发明涉及一种电缆型氯化银包裹铜纳米结构的合成法:具体为:一、溶液的配制。配制反应底物铜盐和还原剂和结构导向剂混合溶液、表面活性剂溶液、银盐溶液。二、铜纳米线的合成方法。将含有铜盐和还原剂和结构导向剂的混合溶液在常温条件下磁力搅拌一定时间,然后转移至油浴锅中,特定温度下保温一定时间,反应结束,冷却至室温,将样品进行离心,洗涤,收集得产物。三、氯化银的量子点。将一定浓度的银盐溶液逐滴加入到特定一定浓度的表面活性剂溶液中,磁力搅拌一定时间得乳白色溶液。四、氯化银负载铜纳米线的合成方法。将铜纳米线加入到上述乳白色溶液中,磁力搅拌一定时间。本发明工艺简单,制备条件通用,产物形貌稳定,纯度高,且产物处理简单,适合中等规模工业生产。

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