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一种图像传感器及照相机

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110286763.7
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2021-03-17
  • 申请人:
    联合微电子中心有限责任公司
著录项信息
专利名称一种图像传感器及照相机
申请号CN202110286763.7申请日期2021-03-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-29公开/公告号CN113053937A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人联合微电子中心有限责任公司申请人地址
重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联合微电子中心有限责任公司当前权利人联合微电子中心有限责任公司
发明人方欣欣;黄晓橹
代理机构北京北汇律师事务所代理人马亚坤
摘要
本发明公开了一种图像传感器及照相机,其中,图像传感器包括多个光电二极管单元;该光电二极管单元包括:光电二极管和预设层;其中预设层的禁带宽度小于预定阈值;预设层设置于该光电二极管上方;该光电二极管单元两侧设置有背面深沟道隔离层;背面深沟道隔离层上方设置有金属层;通过背面深沟道隔离层连接的多个光电二极管单元的上方设置有介质层;该介质层上方设置有微透镜。通过本发明解决了现有技术中难以进一步提升NIR波段的吸收效率的问题。在本发明中锗硅工艺与现有的硅基工艺兼容,使得锗硅层在制备上不存在难点,并且锗硅层中锗的配比可以调节,进而调节锗硅层的禁带宽度,使得NIR的吸收效率更高,进而显著增强NIR波段的量子效率。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供