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一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810230441.9
  • IPC分类号:H01L23/544;H01L21/66
  • 申请日期:
    2018-03-20
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法
申请号CN201810230441.9申请日期2018-03-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-08-24公开/公告号CN108447850A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人康晓旭
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;尹一凡
摘要
本发明公开了一种薄膜残留应力测试结构,包括:并列设于衬底上的两个第一支撑柱;悬空设于两个第一支撑柱之间的一个第一环形指针结构;两段第一被测薄膜,分别悬空设于第一环形圈两侧,每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上,另一端连接在对应侧的第一环形圈上;如第一被测薄膜因残留应力较大而发生翘曲时,会拉动其连接的第一环形指针结构,使之变形,并引起第一环形指针结构发生平移,因而会在第一环形指针结构上设置的位移测量结构上引起量化的变化,从而可以对第一被测薄膜的残留应力进行量化评估。本发明还公开了一种薄膜残留应力测试结构的制作方法。

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