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去除芯片中可动离子电荷的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410045513.4
  • IPC分类号:H01L21/322;H01L21/02
  • 申请日期:
    2014-02-08
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称去除芯片中可动离子电荷的方法
申请号CN201410045513.4申请日期2014-02-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-08-12公开/公告号CN104835733A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/322IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人石金成;潘光燃;高振杰;王琨;由云鹏;张建湘
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人刘芳
摘要
本发明提供了一种去除芯片中可动离子电荷的方法。在设定温度下对形成有二氧化硅层的芯片进行预设时间内的烘烤处理,按照预设的剥除厚度对所述芯片进行漂洗,以剥除所述二氧化硅层中富含的可动离子电荷。本发明中在烘烤处理中将芯片中的可动离子电荷在二氧化硅(SiO2)层中重新分布,可动离子电荷根据自身的运动特性,将加速在SiO2层的上表面上积累,再通过漂洗处理将富含可动离子电荷的上表面从SiO2层中剥除,消除了芯片中的可动离子电荷,提高了芯片的使用寿命。

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