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带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210037422.7
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L27/08
  • 申请日期:
    2012-02-16
  • 申请人:
    美士美积体产品公司
著录项信息
专利名称带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器
申请号CN201210037422.7申请日期2012-02-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-10-03公开/公告号CN102709311A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8查看分类表>
申请人美士美积体产品公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人马克西姆综合产品公司当前权利人马克西姆综合产品公司
发明人田磊;斯科特·威尔逊·巴里;应学军
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人邬少俊;王英
摘要
本申请案涉及带有具有压缩应力的保形沉积导电层的深沟槽电容器。提供一种高密度深沟槽MIM电容器结构,其中例如Poly‑SixGe1‑x的半导体材料的导电‑压缩‑保形施加的层穿插在MIM电容器层内以抗衡由此类MIM电容器层形成的抗拉应力。导电‑压缩‑保形施加的材料层的所述穿插适于在高密度深沟槽MIM电容器硅装置的制造过程期间抗衡硅晶片的凸状(向上)弯曲以借此帮助最大化每晶片此类装置的生产合格率。

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