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半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711120019.X
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2017-11-14
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201711120019.X	申请日期	2017-11-14
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-03-05	公开/公告号	CN109427870A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	江国诚;王志豪;程冠伦
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

文中描述了包含主动鳍式结构、虚设鳍式结构、磊晶层、含锗氧化层的半导体结构及其形成方法。自对准磊晶制程可通过实行含锗氧化层于鳍式场效晶体管元件的源极/漏极区域上的磊晶层表面而实现。通过实行虚拟鳍式结构以及自对准蚀刻，则可使磊晶层与邻近鳍式场效晶体管元件的金属栅极结构皆以自对准方式被分隔开。

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