一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310634216.9
IPC分类号：G01N27/04
申请日期：
2013-11-29
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
申请号	CN201310634216.9	申请日期	2013-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103675034A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	刘欢;唐江;傅邱云;李敏;周东祥
代理机构	武汉东喻专利代理事务所（普通合伙）	代理人	方可

摘要

本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。制备方法包括如下步骤：（1）将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜；（2）用短链配体溶液处理量子点薄膜；（3）去除残余的短链配体及其副产物；（4）多次重复执行步骤（1）至步骤（3），得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜，完成气体传感器的制备。上述方法中，也可以直接在绝缘衬底上成膜，在最后得到的半导体胶态量子点薄膜上制备电极。气体传感器包括绝缘衬底、电极和气敏层，气敏层为半导体胶态量子点薄膜。该气体传感器可在常温下检测气体浓度的瞬间或微量变化，响应恢复速度快且灵敏度高，安全便携，具有良好的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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