半导体制造装置及半导体基板接合方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210018300.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L27/146
申请日期：
2012-01-19
申请人：
株式会社东芝

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著录项信息

专利名称	半导体制造装置及半导体基板接合方法
申请号	CN201210018300.3	申请日期	2012-01-19
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-25	公开/公告号	CN102610492A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	谷田一真;本乡悟史;山口直子;高桥健司;沼田英夫
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	刘瑞东;陈海红

摘要

本发明提供半导体制造装置及半导体基板接合方法。根据实施例的半导体制造装置，具备：第1部件，保持第1半导体基板；第2部件，保持第2半导体基板，使接合面与第1半导体基板的接合面相对向；距离检测单元，检测第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；调节单元，调节第1半导体基板的接合面和第2半导体基板的接合面的距离；第3部件，在第1半导体基板和第2半导体基板之间形成接合开始点。

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