加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体衬底及形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280032113.9
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L33/00
  • 申请日期:
    2012-06-28
  • 申请人:
    圣戈班晶体及检测公司
著录项信息
专利名称半导体衬底及形成方法
申请号CN201280032113.9申请日期2012-06-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-04-23公开/公告号CN103748662A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人圣戈班晶体及检测公司申请人地址
法国,库伯瓦 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人圣戈班晶体及检测公司当前权利人圣戈班晶体及检测公司
发明人J-P·福里;B·博蒙
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法包括在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层,其中在连续生长工艺期间,通过改变连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数在基层和外延层之间形成释放层。该方法还包括从衬底分离多个半导电层。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供