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具有有源沟槽角落和厚底部氧化物的沟槽型MIS器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02815674.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331
  • 申请日期:
    2002-08-05
  • 申请人:
    西利康尼克斯股份有限公司
著录项信息
专利名称具有有源沟槽角落和厚底部氧化物的沟槽型MIS器件及其制造方法
申请号CN02815674.9申请日期2002-08-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2004-10-27公开/公告号CN1541417
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人西利康尼克斯股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西利康尼克斯股份有限公司当前权利人西利康尼克斯股份有限公司
发明人默罕穆德·N·达维什;克里斯蒂娜·尤;弗雷德里克·P·贾尔斯;刘凯宏;陈阔因;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕塔纳亚克
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人李晓舒;魏晓刚
摘要
一种沟槽型MOSFET(40),包括有源角落区域(25)和居中位于沟槽(19)底部的厚绝缘层(33)。薄的栅极绝缘层(15)衬在沟槽(19)的侧壁和底表面周边部分上。栅极(14)填充该沟槽,邻近该薄绝缘层(15)。栅极(14)邻近厚绝缘层(33)的侧面和顶部。厚绝缘层(33)将栅极(14)与沟槽(19)底部的漏极导电区(13)隔开,形成减小的栅极对漏极电容,并使MOSFET(40)尤其适用于高频应用。

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