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一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910577179.X
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2019-06-28
  • 申请人:
    湖南师范大学
著录项信息
专利名称一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件及其制作方法
申请号CN201910577179.X申请日期2019-06-28
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2019-09-27公开/公告号CN110289257A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人湖南师范大学申请人地址
湖南省长沙市岳麓区麓山南路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南师范大学当前权利人湖南师范大学
发明人金湘亮;汪洋
代理机构湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)代理人陈伟
摘要
本发明公开了一种双向增强型栅控可控硅静电保护器件,包括衬底P‑Sub,衬底P‑Sub上设有NBL区,NBL区上设有第一DN‑Well区、第一P‑EPI区、第二DN‑Well区、第二P‑EPI区、第三DN‑Well区;第一P‑EPI区中设有第一P‑Well区,第一P‑Well区中设有第一多晶硅栅;第二P‑EPI区中设有第二P‑Well区,第二P‑Well区中设有第二多晶硅栅。本发明的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅构成增强型栅控结构,采用增强型栅控结构能够使得双向可控硅器件的导通电阻降低,可控硅的正反馈回路增益提高,失效电流有效提高,不会过早发生软失效和表面击穿现象。

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