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一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201711050050.0
  • IPC分类号:G03F7/26
  • 申请日期:
    2017-10-31
  • 申请人:
    安徽富芯微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法
申请号CN201711050050.0申请日期2017-10-31
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-03-20公开/公告号CN107817655A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/26IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;6查看分类表>
申请人安徽富芯微电子有限公司申请人地址
安徽省合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富芯微电子有限公司当前权利人富芯微电子有限公司
发明人顾晶伟;刘宗贺;陆益;李超;刘宗帅;何孝鑫;黄元凯
代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)代理人胡剑辉
摘要
本发明公开一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法,包括如下步骤:将硅片进行预处理,清洗烘干;硅片进行氧化;硅片单面进行匀胶;将涂敷光刻胶的硅片进行曝光;将曝光后的硅片进行显影;将硅片放入恒温烘箱中进行坚膜;将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀;对硅片进行去胶;将去胶后的硅片放进扩散炉中进行单面扩散。本发明通过曝光、显影和坚膜,并利用负性光刻胶的性质,可将硅片表面在匀胶时产生的胶丝、胶粒进行溶解,而匀胶面通过曝光,负性光刻胶产生交联聚合反应,在负胶显影液中不会去除,从而达到保护的作用,为后期腐蚀二氧化硅奠定了基础,减少了返工次数和制造成本,进而提高了工艺质量和制造效率。

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