图形化衬底以及倒装LED芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420173240.7
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/20;H01L33/22
申请日期：
2014-04-10
申请人：
杭州士兰明芯科技有限公司

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著录项信息

专利名称	图形化衬底以及倒装LED芯片
申请号	CN201420173240.7	申请日期	2014-04-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;2;2查看分类表>
申请人	杭州士兰明芯科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州士兰明芯科技有限公司	当前权利人	杭州士兰明芯科技有限公司
发明人	张昊翔;江忠永
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本实用新型提供一种图形化衬底结构以及倒装LED芯片。在衬底表面形成凹坑，并在所述凹坑内填充绝缘介质膜，所述衬底以及绝缘介质膜均采用透光材料，所述绝缘介质膜的折射率介于所述衬底以及外延层之间，如此可形成折射率梯度，相当于在衬底表面镶嵌了微透镜，所述镶嵌的微透镜可起到聚焦的效果，并可减少光反射，以确保光能最大程度的从衬底的出光面透射出去，从而提高倒装LED的出光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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