一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110498780.7
IPC分类号：H03H9/64;H03H3/02
申请日期：
2021-05-08
申请人：
江苏卓胜微电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制造方法
申请号	CN202110498780.7	申请日期	2021-05-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113193849A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/46 滤波器（多端对机电滤波器入H03H 9/70）〔3〕 H03H9/64 应用声表面波〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;6;4;;;H;0;3;H;3;/;0;2查看分类表>
申请人	江苏卓胜微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏卓胜微电子股份有限公司	当前权利人	江苏卓胜微电子股份有限公司
发明人	姚远
代理机构	重庆双马智翔专利代理事务所（普通合伙）	代理人	顾晓玲;陈香兰

摘要

本发明公开了一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制造方法，声表面波换能器包括从下到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补层；还包括负载层，负载层采用如下结构之一或组合；结构一：负载层设置于温补层上或温补层中，负载层不与叉指金属层接触，负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头；结构二：负载层在晶圆基底内，负载层位于叉指金属层的指条端头位置对应处，负载层为导电材料；结构三：负载层位于叉指金属层和温补层之间，负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头，负载层采用非金属材料制成。对指条端头区域进行处理阻断横向模，提高电性能指标和品质Q值；结构一负载层通过温补层与叉指金属层隔离，不与叉指金属层相连短路。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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