半导体装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320878884.1
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/49
申请日期：
2013-12-27
申请人：
瑞萨电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN201320878884.1	申请日期	2013-12-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	绀野顺平;西田隆文;木下顺弘;长谷川和功;杉山道昭
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	陈伟;李文屿

摘要

本实用新型的课题在于提供一种提高半导体装置的可靠性的半导体装置。在布线基板（3）所具有的芯片搭载面上形成的多个端子（11），在俯视观察下分别为在相邻的宽幅部（11w1、11w2）之间配置有窄幅部（11n）的形状。另外，在搭载于布线基板（3）上的半导体芯片（2）上形成的、多个突起电极（4）各自的顶端面的中心在俯视观察下分别配置在与窄幅部（11n）重叠的位置，将多个端子（11）和多个突起电极（4）经由焊锡材料（5）而电连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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