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发光二极管芯片的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910227533.6
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L33/20
  • 申请日期:
    2019-03-25
  • 申请人:
    大连德豪光电科技有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管芯片的制备方法
申请号CN201910227533.6申请日期2019-03-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2019-07-12公开/公告号CN110010728A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人大连德豪光电科技有限公司申请人地址
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大连德豪光电科技有限公司当前权利人大连德豪光电科技有限公司
发明人王思博;简弘安;刘宇轩
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人郭玮;李双皓
摘要
本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法,当所述侧壁具有多个所述斜面时,所述侧壁的面积越大,从而所述侧壁面出光就会越多。同时,当所述侧壁具有多个所述斜面时,内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多,会增加取光,提高发光二极管芯片的亮度。多个所述斜面形成不同形貌的所述侧壁,可以使内部光线入射到所述侧壁产生不同的入射角,可以有更多的光取出,能够避免较多全反射。同时,通过所述发光二极管芯片的制备方法制备获得所述隔离槽的所述侧壁的相邻所述斜面之间的角度为正角,当后续制作的绝缘层可披覆在所述隔离槽上,进行较好的绝缘。

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