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一种有机薄膜晶体管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910069990.7
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/40
  • 申请日期:
    2019-01-24
  • 申请人:
    纽多维有限公司
著录项信息
专利名称一种有机薄膜晶体管及其制备方法
申请号CN201910069990.7申请日期2019-01-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-07-31公开/公告号CN111477742A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人纽多维有限公司申请人地址
英国巴克斯顿11号步行街卡文迪什之家邮编SK176JR 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人纽多维有限公司当前权利人纽多维有限公司
发明人冯林润;刘哲;凯伦·帕拉巴·拉杰夫;西蒙·多米尼克·奥吉尔
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人牛利民;张奎燕
摘要
一种有机薄膜晶体管及其制备方法。该制备方法包括在基底上通过图案化形成背栅;在基底和背栅上形成有机背栅介电层;在有机背栅介电层上通过图案化形成源电极和漏电极;在有机背栅介电层、源电极和漏电极上形成有机半导体沟道层;在有机半导体沟道层上形成有机顶栅介电层;在有机顶栅介电层上通过图案化形成顶栅;利用顶栅充当硬质掩模,蚀刻有机半导体沟道层和有机顶栅介电层。该有机薄膜晶体管由上述方法制备得到。该方法省略了图案化介电层的工序,节省了光罩数量,节约了成本,简化了工艺。

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