一种石墨烯薄膜场发射阴极

发明专利有效专利

申请号：
CN201410373851.0
IPC分类号：H01J1/304
申请日期：
2014-07-31
申请人：
国家纳米科学中心

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著录项信息

专利名称	一种石墨烯薄膜场发射阴极
申请号	CN201410373851.0	申请日期	2014-07-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-11-05	公开/公告号	CN104134594A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/30 冷阴极 H01J1/304 场致发射阴极〔7〕	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	国家纳米科学中心	申请人地址	北京市海淀区中关村北一条11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家纳米科学中心	当前权利人	国家纳米科学中心
发明人	李驰;白冰;李振军;和峰;杨晓霞;裘晓辉;戴庆
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	巩克栋;杨晞

摘要

本发明涉及一种石墨烯薄膜场发射阴极。所述石墨烯薄膜场发射阴极包括阴极基底和覆盖于阴极基底上的石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜上设置有多孔阵列。本发明通过制备多孔薄膜结构，可以充分提高石墨烯薄膜的边缘比例，进而提高其大电流发射能力；在石墨烯孔的边缘，将会形成“金属‑绝缘体‑真空”三结，将极大地增强场发射电流，降低场发射驱动电压。

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