一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711479868.4
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00
申请日期：
2017-12-29
申请人：
华灿光电（苏州）有限公司

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专利名称	一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
申请号	CN201711479868.4	申请日期	2017-12-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-31	公开/公告号	CN108346725A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（苏州）有限公司	当前权利人	华灿光电（苏州）有限公司
发明人	丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片还包括设置在AlN缓冲层和未掺杂的GaN层之间的插入层，插入层的生长温度为300～600℃；插入层为AlGaN/GaN结构，或者N个周期的AlGaN/GaN超晶格结构，2≤N≤20且N为整数。AlGaN子层的生长温度较低，所形成的晶粒越小且越密集，这些晶粒会拉伸形变使得间隙闭合，降低表面能，产生张应力，促使外延片向变凹的方向发展，从而改善外延片的翘曲。由于低温生长的AlGaN子层晶体质量不佳，故引入GaN子层可以湮灭大量的位错，提高外延片底层的晶体质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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