一种晶体生长装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920645452.3
IPC分类号：C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06
申请日期：
2019-04-30
申请人：
上海新昇半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种晶体生长装置
申请号	CN201920645452.3	申请日期	2019-04-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;1;5;/;1;0;;;C;3;0;B;1;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区临港新城云水路1000号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	上海新昇半导体科技有限公司
发明人	沈伟民
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本实用新型提供一种晶体生长装置，包括：炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述坩埚的上方，配置为在晶体生长的过程中提拉晶体；熔融盖，所述熔融盖固定在所述提拉装置的下端，配置为减少所述熔体的热损失。根据本实用新型提供的晶体生长装置，通过在坩埚的上方设置熔融盖，减少了熔体的热损失，缩短了原料在坩埚中加热熔化的时间，降低了加热器的能耗，进而提高了生产效率，降低了生产成本。

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