功率放大电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201611138294.X
IPC分类号：H01L27/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21
申请日期：
2016-12-12
申请人：
株式会社村田制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	功率放大电路
申请号	CN201611138294.X	申请日期	2016-12-12
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-08-08	公开/公告号	CN107026159A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;3;F;1;/;3;0;;;H;0;3;F;3;/;1;9;;;H;0;3;F;3;/;2;1查看分类表>
申请人	株式会社村田制作所	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社村田制作所	当前权利人	株式会社村田制作所
发明人	佐佐木健次
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种功率放大电路，具备第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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