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GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410123316.X
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L21/77
  • 申请日期:
    2014-03-28
  • 申请人:
    长安大学
著录项信息
专利名称GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法
申请号CN201410123316.X申请日期2014-03-28
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103872044A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人长安大学申请人地址
陕西省西安市南二环中段33号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长安大学当前权利人长安大学
发明人全思;谷文萍;李演明;文常保;谢元斌;巨永锋;郝跃
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人徐文权
摘要
本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,负载电阻表面保留SiN,电阻沟道中存在高浓度二维电子气,呈现出电阻特性,将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。

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